战略新变革：三菱电机为功率半导体按下“加速键”-数控专题

战略新变革：三菱电机为功率半导体按下“加速键”

时间:2023-09-01 作者: 来源:中国工控网

2023年8月29日，PCIM Asia 上海国际电力元件、可再生能源管理展览会在上海新国际博览中心隆重揭幕，展会持续时间为3天。作为亚洲领先的电力电子展会，展会聚集了一众业界翘楚，探索行业最新趋势和创新发展之路。

8月30日，三菱电机同步召开了以“创新功率器件构建可持续未来”为主题的媒体发布会。三菱电机半导体大中国区总经理赤田智史、三菱电机功率器件制作所首席技术顾问Gourab Majumdar 博士、三菱电机功率器件制作所高级技术顾问近藤晴房、三菱电机半导体大中国区市场总监陈伟雄、三菱电机半导体大中国区技术总监宋高升莅临发布会现场进行了主题演讲，并针对记者提问，就三菱电机最新产品和技术趋势、市场战略进行互动。

无线通讯等领域得到了广泛的应用。

业务层面，从财报来看，三菱电机实现了稳定增长。公告显示：三菱电机2023财年净利润为2139亿日元，收入同比增长12%至50036亿日元；对于2024财年，三菱电机预计收入为52000亿日元，营业利润为3300亿日元，净利润为2600亿日元。在前段时间三菱电机召开的投资说明会上，三菱电机社长兼CEO漆间启先生着重强调了功率半导体业务是集团业务增长的主要牵引力。

用创新产品持续引领行业方向

展会上首次亮相的四款新品，延续了三菱电机一贯的在各个应用领域持续创新、不断迭代的精神，以前沿技术和创新产品引领变频家电、轨道牵引、工业与新能源、电动汽车行业发展。

（变频家电用智能功率模块SLIMDIP-ZTM）

在工业与新能源行业，本次展示的这款工业与新能源发电用三电平IGBT模块，采用了T型三电平拓扑。半桥部分采用了1200V第7代IGBT，而交流开关部分采用了650V第7代IGBT。这款三电平模块具有200A和400A两个电流规格。优化的封装设计使得该模块可以通过不同的数量并联实现变流器的灵活功率配置，简化电路设计。

在轨道牵引行业，继3.3kV/185A、3.3kV/375A和3.3kV/750A全碳化硅模块之后，三菱电机新开发了一款集成SBD的SiC-MOSFET模块，其规格为3.3kV/800A，它将有助于为铁路、电力系统及大型工业变流系统提供更大功率密度、更高效率和可靠性。

在封装结构和形式上，这款SiC MOSFET模块采用集成SBD的SiC MOSFET和优化的封装结构，与公司现有的硅功率模块相比，开关损耗降低了91%，与现有3.3kV/750A全SiC功率模块相比降低了66%。从而降低了变流器功率损耗，并有助于提高输出功率和效率，有效减少碳排放。此外，该款SiC MOSFET模块采用了LV100封装形式，可以通过不同的数量并联实现变流器的灵活功率配置，简化电路设计。