特点和益处：
可倾斜和可旋转衬底架的蚀刻角调整
无塑造器的优良均匀性
活性气体的选择性和速率提高
采用精确的西姆斯或光学端点检测进行工艺控制
适应可变基板尺寸的载体概念
由于晶圆冷却良好,用光刻胶面罩加工晶圆
应用程序：
技术：
离子束蚀刻/离子束研磨
使用惰性气体离子的准直束结构或材料去除。
反应离子束蚀刻
将活性气体引入离子束源中,用于表面的活性蚀刻。
化学辅助离子束蚀刻
使用活性气体独立于离子束进行表面的活性蚀刻。
底板尺寸(最大) | 150毫米口径。 |
基座 | 水冷、氦背面冷却接触,衬底旋转1-20转,可在0-165°每0.1°的位置旋转 |
离子束源 | 190毫米循环微波ECR源(MW218-E) |
中和器 | 三重等离子桥中和器(N-3DC) |
碱压 | 马巴 |
系统尺寸(WxDxH) | 1.90米x1.80米x1.75米(无电架) |
配置 | 单室,可选的单衬底负载锁定,可选的OSS或SimS端点检测 |
软件接口 | SECS II / GEM, OPC |
典型清除率 | 高级官员 2 30纳米/分钟 |
均匀性变异 | ≤ 3 % (σ/mean) |
2、Scia Moll200
大规模生产不超过200毫米的晶圆的系统
离子束蚀刻
反应离子束蚀刻
化学辅助离子束蚀刻
使用Sims光谱法对旋转式传感器的层栈进行蚀刻,可以确定层的变化边界,从而精确地定义角度和蚀刻停止点的变化。左边:层栈。右:西姆斯材料检测。
磁记忆(MRAM)和传感器的结构化
金属在MEMS生产中的轧制(非洲、俄罗斯、美国、…)
不同金属和介质材料多层轧制
复合半导体的化学辅助离子束蚀刻(CAAS,GAN,INP,…)
生产三维光电微结构
离子束平滑用于减小微细度
反射离子束蚀刻用于光光栅的模式传输 2 )
申请表
地面浮雕光栅 电子设备和电子设备
磁多层 for tunnel-magneto-resistance (TMR) sensors
制造超薄钛酸锂 红外传感器
逆向工程 集成电路芯片设备
原则
圆形离子束源在惰性或活性气体的一定角度下蚀刻整个衬底区域
技术
离子束蚀刻/离子束研磨
使用惰性气体离子的准直束结构或材料去除。
反应离子束蚀刻
将活性气体引入离子束源中,用于表面的活性蚀刻。
化学辅助离子束蚀刻
使用活性气体独立于离子束进行表面的活性蚀刻。
底板尺寸(最大) | 200毫米口径。 |
基座 | 水冷、氦背面冷却接触,衬底旋转1-20转,可在0-170度每0.1度的位置上倾斜 |
离子束源 | 350毫米循环射频源(RF350-E) |
中和器 | 射频等离子体桥中和剂 |
产量 | 12 Wafer/h (100 nm SiO 2 200mm晶圆片) |
碱压 | 马巴 |
系统尺寸(WxDxH) | 3个机房和盒式磁带装卸(没有电器架和泵) |
配置 | 单室,可选的单基板负载锁定或磁带处理,最多可有3个加工室和磁带处理的集群系统,可选的操作系统或基于模拟的终端检测 |
软件接口 | SECS II / GEM, OPC |
典型清除率 | Cu: 60 nm/min, Pt: 35 nm/min, W: 18 nm/min, SiO 2 : 20 nm/min (inert), SiO 2 : 40 - 60 nm/min (reactive) |
均匀性变异 | ≤ 1 % (σ/mean) |
3、Scia Moll300
300mm以下晶圆的全表面蚀刻系统
离子束蚀刻
反应离子束蚀刻
化学辅助离子束蚀刻
斜面浮雕光栅(SRG)作为增强现实光耦合器(AR)的反应离子束蚀刻。左边:离子束在不同入射角下蚀刻。右:从原理和扫描电镜结果看蚀刻石英光栅。
磁记忆(MRAM)和传感器的结构化
金属在MEMS生产中的轧制(非洲、俄罗斯、美国、…)
不同金属和介质材料多层轧制
复合半导体的化学辅助离子束蚀刻(CAAS,GAN,INP,…)
生产三维光电微结构
离子束平滑用于减小微细度
反射离子束蚀刻用于光光栅模式传输(sio2)
申请表：
地面浮雕光栅 电子设备和电子设备
磁多层 for tunnel-magneto-resistance (TMR) sensors
制造超薄钛酸锂 红外传感器
逆向工程 集成电路芯片设备
原则：
圆形离子束源在惰性或活性气体的一定角度下蚀刻整个衬底区域
技术：
离子束蚀刻/离子束研磨
使用惰性气体离子的准直束结构或材料去除。
反应离子束蚀刻
将活性气体引入离子束源中,用于表面的活性蚀刻。
化学辅助离子束蚀刻
使用活性气体独立于离子束进行表面的活性蚀刻。
底板尺寸(最大) | 300毫米口径。 |
基座 | 水冷、氦背面冷却接触,衬底旋转1-20转,可在0-170度每0.1度的位置上倾斜 |
离子束源 | 450毫米循环射频源(RF450-E) |
中和器 | 射频等离子体桥中和剂 |
产量 | 12 Wafer/h (100 nm SiO 2 ) |
碱压 | 马巴 |
系统尺寸(WxDxH) | 单室,单衬底负载锁定(没有电架和水泵),2.70米x1.50米x2.00米 |
配置 | 单室,可选择的单衬底负载锁定或磁带处理, |
软件接口 | SECS II / GEM, OPC |
典型清除率 | Cu: 60 nm/min, Pt: 35 nm/min, W: 18 nm/min, SiO 2 : 20 nm/min (inert), SiO 2 : 40 - 60 nm/min (reactive) |
均匀性变异 | ≤ 2 % (σ/mean) |