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应对人工智能数据中心的电力挑战

图1:典型服务器电源架构 – 中间总线


人工智能数据中心需要高能效电源转换

功率损耗带来了双重挑战,不仅会造成能源浪费、增加运营成本,而且会产生大量热量,进而需占用更大空间、消耗更多成本。运营超大规模人工智能数据中心时,机架功率需求为120 kW。将电网电力转换为 GPU 所用电压的能效约为 88%,这意味着会产生大约 15 kW 废热,并需要通过液冷技术进行有效散热。


在服务器电源设计中,能效和功率密度是两个重要概念,二者相辅相成。我们必须尽可能高效地将来自电网的能量转换为有用功率,减少损耗。为此,电源拓扑不断演变,业界开发了同步整流等技术,并在整流器中采用MOSFET 取代了损耗较大的二极管。


改进拓扑结构只成功了一半。为了优化能效,还必须尽可能提高所有元器件的能效,尤其是对转换过程至关重要的MOSFET。


MOSFET 并非无损耗器件,在导通和开关过程中也会产生损耗。随着服务器电源不断提高运行频率以缩小尺寸,开关损耗成为了优化的重点。


高效PowerTrench® MOSFET

安森美(onsemi)中低压T10 PowerTrench®MOSFET采用了新型屏蔽栅极沟槽技术,降低了开关损耗和导通损耗,并进而显著降低了其Qg,RDS(ON) 也降至 1mOhm 以下。其中的先进软恢复体二极管缓解了振铃、过冲和噪声问题,同时降低了 Qrr 损耗,为快速开关应用找到了性能与恢复时间的平衡点。


与早期器件相比,这些新型MOSFET 可使开关损耗降低高达 50%,并使导通损耗降低 30% 以上。


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