向电动汽车的加速转型推动汽车充电系统取得了重要的创新成果，这愈发需要更具成本效益的高性能功率电子器件。为此，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出QDPAK封装，进一步扩展其650 V CoolMOS™ CFD7A产品阵容。与行业熟知的TO247 THD器件相比，采用QDPAK封装的产品系列具有同等的散热能力，但电气性能更高，能够在车载充电器和DC-DC转换器中实现高效的能源利用。

连接器的需求，从而降低了系统成本。该电源开关可降低高达35%的热阻，提供比标准冷却解决方案更优的高功率耗散能力。

该特性克服了在底部冷却SMD设计中采用FR4 PCB所带来的热限制，显著提高了系统性能。经过优化的电源环路设计将驱动器置于电源开关附近，通过降低杂散电感和芯片温度来提高可靠性。总之，这些特性有助于构建一个具有高成本效益、稳健、高效的系统，能够很好地满足现代化的充电需求。

正如2023年2月所宣布的，适合高功率应用的QDPAK TSC封装已注册为JEDEC标准，通过统一的标准封装设计和占板面积，推动TSC封装在新型设计中的广泛采用。为进一步加快这一转型，英飞凌还将于2024年发布更多用于车载充电器和DC-DC转换器的、采用QDPAK TSC封装的车规级器件，例如750 V CoolSiC™器件和1200 V CoolSiC™器件等。

供货情况

650 V CoolMOS CFD7A器件采用了QDPAK封装，共有两个版本，分别采用了顶部冷却（TSC）封装和底部冷却（BSC）封装两种形式。两个版本现在均可订购。如需了解更多信息，请访问 审核编辑(