近日，第11届EEVIA年度中国硬科技媒体论坛暨产业链研创趋势展望研讨会在深圳隆重开启。兆易创新存储器事业部产品市场经理张静受邀出席，以“持续开拓，兆易新一代存储产品助力行业创新”为题，分享了兆易创新在嵌入式存储器领域的广泛布局，以及面向产业技术变革浪潮的创新思考，共同探讨“半导体产业波动周期”下的存储器市场发展趋势。

物联网、5G通信等领域成为了Flash的热门应用场景。”张静在演讲环节表示：“紧随技术变革的步伐，兆易创新Flash持续引领突破，现已提供27大产品系列、16种产品容量、4个电压范围、7款温度规格和29种封装方式的产品家族，覆盖了几乎所有需要存储代码的应用场景。”

嵌入式系统存储代码所需的Flash容量差别很大，例如消费电子所需Flash容量在512Kb~4Gb，而物联网设备所需Flash容量为1Mb~256Mb。目前，兆易创新NOR Flash系列提供从512Kb至2Gb容量范围，其中512Mb、1Gb、2Gb的大容量SPI NOR Flash产品更是填补了国产NOR Flash的空白；SLC NAND Flash系列提供1Gb至8Gb容量范围，赋能消费电子、PC周边、网络通信、汽车/工业等领域对于大容量存储数据的需求。

在性能上，兆易创新GD25T/LT系列是业界首款超高性能、超高可靠性的车规级4口SPI NOR Flash产品，数据吞吐量高达200MB/s，内置ECC算法和CRC校验功能，可以满足车载应用的严苛要求。GD25X/LX系列则进一步拓展，是8口SPI NOR Flash产品，数据吞吐量可以达到400MB/s，实现了业界超高水平的产品性能，赋能广泛的汽车电子应用。

在封装上，兆易创新更是存储行业的引领者，例如在64Mb容量上，兆易创新推出了业界超小尺寸的3 x 2 x 0.4 mm FO-USON8封装产品，与传统3 x 2 mm USON8封装完全兼容，而传统3 x 2 USON8封装的最大可支持容量是32Mb。这意味着开发者无需改动PCB，仅仅换一颗兆易创新FO-USON8封装的Flash即可实现容量翻倍。不仅如此，今年5月兆易创新重磅推出采用3 x 3 x 0.4 mm FO-USON8封装的GD25LE128EXH芯片，这是目前业界在128Mb容量上能实现的最小塑封封装产品，与传统3 x 4 mm USON8封装完全兼容，而传统3 x 4 mm USON8封装的最大支持容量是64Mb，开发者无需改动PCB，换上GD25LE128EXH芯片便可实现容量翻倍，能够很好地满足可穿戴电子产品对“轻、薄、小”的追求。

探索先进制程SoC的高能效应用，1.2V超低电压Flash为绿碳贡献力量

随着双碳理念的发展，高能效、低功耗的应用需求在半导体领域愈发凸显。与此同时，移动设备、

应对这一趋势，兆易创新推出了1.2V SPI NOR Flash——GD25UF产品系列，在1.2V工作电压下的数据传输速度、读写功耗等关键指标上均达到国际领先水平，可以轻松适配核心电压1.2V的先进制程SoC。同时，相比1.8V NOR Flash，1.2V GD25UF系列在Normal模式下，相同电流情况下的功耗降低33%；在Low Power模式下，相同频率下的功耗更是降低70%。这些出色的特性使得GD25UF系列成为下一代可穿戴和可移动设备的优先之选。